HY1707P دیتاشیت

HY1707P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1707P
حجم فایل 59.055 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

مشاهده دیتاشیت HY1707P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1707P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 178W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 88nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 70V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4550pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 280pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,40A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه